BSZ240N12NS3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：120V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：37A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 60V功率 - 最大值：66W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
